恩智浦半导体（前身为飞利浦半导体）发布最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（Breakthrough in Small Signal）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并有效减少可擕式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数字相机）的热能产生。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻（low equivalent on- resistance）的产业及车用装置。

第三代BISS晶体管的最大集电极电流为5.8安培，它使用网状发射极技术降低RCEsat，从而能够提供更高的电流容量以及超低的VCEsat参数。BISS晶体管可用于提高中等功率DC/DC转换、负荷开关、高端开关（high side switch）、马达驱动器、背光电压反向器应用和频闪器闪光单元以及电池充电器等多种应用的效率。恩智浦目前大量生产供应的BISS晶体管有120多种。

恩智浦半导体市场营销经理Jens Schnepel表示：「如今聪明的消费者都希望可携式设备的待机时间能够更长，并要求所有电子设备有更好的省电功能。对于设计大量生产的中等功率设备的OEM厂商而言，我们的第三代BISS晶体管无疑是极具成本效益的理想选择。」