Zetex Semiconductors（捷特科）公司，近日推出一系列微型NPN及PNP晶体管，满足新一代电源设备中的MOSFET闸驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是第一批采用SOT23FF封装的双极组件，占位面积为2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米。它们可提供更低的饱和电压，以及更高的电流增益保持，有助改善电路效率和降低操作温度。

微型NPN及PNP晶体管

Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：「我们最新的双极晶体管能够支持20V至100V的操作电压，使MOSFET以更高速度和效率运行，更胜同类的CMOS IC。它们兼具抗锁存效能，有效提升系统的整体可靠性。另外，由于组件采用SOT23FF封装，因此可以设置于最接近MOSFET的位置，有助减少磁道电感及振铃效应。」

最新的20V ZXTN19020CFF及ZXTP19020CFF组件，保证能够在7A和5A的电流下分别提供100及110的增益。假如以通用射极设置进行连接，更可以提供极高速的切换，传播时间少于2ns，升降时间介乎10ns和20ns之间。组件的峰值电流高至15A，为专用闸驱动IC提供了极具成本效益的替代品。

在负载点DC-DC模块和紧急照明设备中，一般设有基于Royer及推拉拓朴的饱和式开关应用。Zetex最新晶体管的低饱和电压性能，正可在这种环境中派上用场，缔造效益。以额定电压为60V的ZXTN19060CFF NPN为例，在1A电流及10mA基极驱动下的饱和电压仅为150mV，在2A电流及40mA基极驱动下为135mV。