Zetex Semiconductors(捷特科)公司,近日推出一系列微型NPN及PNP電晶體,滿足新一代電源設備中的MOSFET閘驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP電晶體是第一批採用SOT23FF封裝的雙極元件,佔位面積為2.5 x 3毫米,板外高度只有1毫米。它們可提供更低的飽和電壓,以及更高的電流增益保持,有助改善電路效率和降低操作溫度。
![微型NPN及PNP電晶體](/news/2007/08/21/1924303886.jpg) |
微型NPN及PNP電晶體 |
Zetex亞太區銷售副總裁李錦華表示:「我們最新的雙極電晶體能夠支援20V至100V的操作電壓,使MOSFET以更高速度和效率運行,更勝同類的CMOS IC。它們兼具抗鎖存效能,有效提升系統的整體可靠性。另外,由於元件採用SOT23FF封裝,因此可以設置於最接近MOSFET的位置,有助減少磁軌電感及振鈴效應。」
最新的20V ZXTN19020CFF及ZXTP19020CFF元件,保證能夠在7A和5A的電流下分別提供100及110的增益。假如以通用射極設置進行連接,更可以提供極高速的切換,傳播時間少於2ns,升降時間介乎10ns和20ns之間。元件的峰值電流高至15A,為專用閘驅動IC提供了極具成本效益的替代品。
在負載點DC-DC模組和緊急照明設備中,一般設有基於Royer及推拉拓樸的飽和式開關應用。Zetex最新電晶體的低飽和電壓性能,正可在這種環境中派上用場,締造效益。以額定電壓為60V的ZXTN19060CFF NPN為例,在1A電流及10mA基極驅動下的飽和電壓僅為150mV,在2A電流及40mA基極驅動下為135mV。