Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。

Vishay新型Siliconix功率MOSFET为内业首款采用此封装类型的12V器件，及就额定电压及封装尺寸而言，是具有业内最低导通电阻的MOSFET。（ 来源：厂商）

新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件。器件的电压介于8 V至30 V之间，在4.5 V时导通电阻值低至0.011 Ω。

PowerPAK SC-70将SC-70封装的超小尺寸与较大TSOP-6所对应的导通电阻相结合，可实现极低的功耗。而封装尺寸是TSOP-6的一半且浓度比TSOP-6薄27%。除有助节能外，PowerPAK SC-70还是100%无铅、无卤素且符合RoHS规范的封装，可满足国际法规关于消除有害物质的要求。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET的典型应用将包括为手机、PDA、数字相机、MP3播放器、笔记本计算机、便携式HDD及微型电机驱动等便携设备负载开关及电池充电。

目前推出的器件包括SiA413DJ，它是业内首款采用此封装尺寸的12V单路p信道器件。SiA913DJ及SiA912DJ分别是首款12V双路p及n信道MOSFET，而SiA511DJ是首款12V n信道及p信道互补对。

采用SC-70封装尺寸的多款器件在导通电阻方面刷新纪录。新型SiA421DJ在4.5 V时额定电阻为0.056 Ω，在30V单路p信道类别中的导通电阻最低。SiA914DJ的导通电阻为0.053 Ω，是业内导通电阻最低的20 V双路p信道MOSFET。新产品中的两款为单板、低压降（VF）肖特基二极管。SiA810DJ的额定电阻为0.053 Ω，是导通电阻最低的20 V单路n信道带肖特基二极管的器件，而SiA811DJ的额定电阻为0.094Ω，是导通电阻最低的20 V单路p信道带肖特基二极管的器件。

SiA413DJ和SIA411DJ MOSFET的额定导通电阻低至1.5V VGS，可实现较低功耗，降低了对电平相移电路的需要，从而节省了电路板空间。之前推出的采用PowerPAK SC-70封装的器件包括SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ，额定导通电阻低至1.2V VGS。另外额定电阻为0.011 Ω的SiA414DJ和额定电阻为0.023 Ω的SiA417DJ是采用此封装类型的首款器件，其额定击穿电压为8V。