推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor），针对信息网络、电信和工业应用推出新的高能效单N型信道功率MOSFET系列，进一步扩大其广泛的产品阵容。

安森美半导体高能效单N型信道功率MOSFET系列可用于减少开关、传导及驱动器功率损耗提升能效

这些器件能提供低得令人难以置信的传导电阻RDS（on）值，从而将传导损耗降至最低并提升整体工作效能。 它们还有低至2164皮法（pF）的门极电容（Ciss），以确保尽可能保持低驱动损耗。

安森美半导体新的NTMFS5C404NLT， NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40伏（V），最大传导电阻值(Vgs为10 V时)分别为0.74毫欧、0.9毫欧和2.8毫欧，连续漏电流分别为352安（A）、315 A和127 A。 与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NL，NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，额定击穿电压60 V，最高导通电阻分别为1.2毫欧、 1.5毫欧和 4.7毫欧，而相关的连续漏电流为287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的这两种器件的额定工作接面温度都高达摄氏175度，从而为工程师的设计提供更大的热余裕。 安森美半导体将推出采用更多的电阻值和不同的封装，如micro8FL、DPAK和TO220来扩大此产品线。

安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：「OEM的工程团队不断致力于创建更高效能的电力系统设计，同时占用更少用板空间。 我们新加的器件扩大了广泛的功率MOSFET产品阵容，为客户提供高性能的器件，采用紧密的、高热能效的封装，帮助他们达到更高效能的设计目标。 」

NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和 NTMFS5C646NL都采用紧密的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封装。 （编辑部陈复霞整理）

访问安森美半导体于PCIM的展台-9号展馆展台559