意法半导体（STMicroelectronics, ST）推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷且经济实惠的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC）马达驱动器、不间断电源、太阳能转换器以及所有硬开关（hard-switching）电路拓扑20kHz功率转换应用。

意法半导体的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效

采用意法半导体的第三代沟槽式场截止型（trench-gate field-stop）低损耗制程，M系列IGBT拥有一个全新沟槽／通道闸（trench gate）和特殊设计的PNP垂直结构，能在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点，从而最大幅地提升电晶体的整体性能。在摄氏150度初始接面温度时，最小短路耐受时间为6us，摄氏175度最大工作接面温度及宽安全工作范围有助于延长元件的使用寿命，同时提升对功率耗损有极高要求的应用可靠性。

此外， 新产品封装亦整合了新一代稳流二极体（Free-wheeling Diode）。新款二极体提供快速恢复功能，并同时保持低正向电压降及高软度。此项设计不仅可实现优异的EMI保护功能，还能有效降低开关损耗。正VCE(sat)温度系数结合紧密的参数分布，使新产品能够安全平行，并满足更大功率的要求。

最新发布的M系列拥有10A及30A两种可选额定电流，提供各种功率封装选择，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL长针脚封装，与意法半导体针对高频工业应用所研发的HB系列650V IGBT（高达60 kHz）相互补足。新产品已开始量产。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧650V IGBT，大部分的竞争产品都是600V；

‧低VCE(sat) (1.55V @25°C)电压，能够最大幅度地降低导通损耗；

‧出色的稳健性，拥有广泛的宽安全工作范围以及无锁定效应（latch-free operation）；

‧最佳化的Etot - Vce(sat) 平衡比；

‧摄氏175度最大工作接面温度；

‧高温下的短路耐受时间最短6us；

‧电压过冲非常有限，确保关机期间零振荡