美高森美公司(Microsemi)发布新型大功率单片式微波表面黏着(MMSM)串-并联SP2T PIN二极体反射开关MPS2R10-606。这款器件针对磁共振成像(MRI)接收阵列和应答器、军用、航空航太和航海无线电通讯等应用中高频(HF)、极高频(VHF)和超高频(UHF)的大功率收发组件(T/R)而最佳化。美高森美提供优质PIN二极体产品以克服射频(RF)电源、小讯号开关和接收器功率受限的严苛挑战,已经累积了五十年的独特经验;而MPS2R10-606即充分利用到了此一优势。
![可处理 100 MHz至 1GHz 的100W 连续波功率之单片式微波表面黏着SP2T开关](/news/2016/02/18/1345419320S.jpg) |
可处理 100 MHz至 1GHz 的100W 连续波功率之单片式微波表面黏着SP2T开关 |
美高森美新型MPS2R10-606开关提供从100MHz至1 GHz的频率覆盖范围,插入损耗为0.2dB,回波损耗为15dB,而频带中心的隔离性能则为55dB。只要利用简单的类比控制电压即可让此器件实现500 奈秒(nS)的开关速度,同时处理高达100 W的连续波(CW)功率。 MPS2R10-606采用紧凑的非磁性2.03 mm x 1.27 mm格式供货,符合EU指令2002/95/EC的危害物质限用指令(RoHS)之要求,并与贴装和表面黏着技术(SMT)回流焊制造技术完全相容。
美高森美RF/微波离散产品业务部门高级总监兼部门经理Vincent Cannistraro表示:「我们的MRI和通讯射频客户需要更高等级的功能整合度,同时还要缩小外形尺寸,从而推动了市场对于具有更高密度、功能性和性能的PIN二极体开关的需求。这款采用紧凑型MMSM封装尺寸的新型PIN二极体开关技术,是此一领域中的关键推动力量;相较于传统的砷化镓(GaAs)、金属半导体场效应电晶体和silicon-on-SOI解决方案,可以实现功率水准更高的设计。」
此外,MPS2R10-606技术支援公共安全、航空、船舶和军用手持和机架安装无线电硬体(JTRS),对于打击各种国际和国内威胁而言,这是十分重要的特性。由于美高森美的PIN二极体MMSN开关无磁性,因此具有实施MRI接收阵列所需要的高密度和高性能。
根据市场研究机构Strategy Analytics最新的调查报告指出,陆上军用无线电市场将于2024年达到65亿美元,而美高森美MPS2R10-606器件结合了尺寸紧凑、开关速度快和高CW功率的处理能力,适用于此一不断增长的市场。
美高森美将继续开发先进的PIN二极体产品,目前可提供全面广泛的RF和微波砷化镓(GaAs)及矽PIN二极体产品,范围包括能够实现高达40 GHz开关速度的超低结电容(Cj)电子束PIN二极体,直至能够处理60dBm CW功率的大功率PIN二极体。这些为低互调(intermodulation)开关和衰减而设计的PIN二极体产品涵盖各式各样的应用,包括行动和固定通讯系统、至Ka-band频率雷达系统、宽频电子战(EW)系统、测试仪表、MRI系统、蜂巢基地台、软体定义无线电(SDR)、T/R开关控制和双工器。美高森美PIN二极体提供裸片、倒装晶片、电子束引脚(beam-lead)、带状线(stripline)、玻璃轴向、塑胶、陶瓷、低磁性、密封、晶圆级和表面黏着选项。
美高森美MPS2R10-606采用紧凑且高度整合的2.03 mm x 1.27 mm晶圆级格式供应,符合RoHS标准要求,并提供镀金端子。 (编辑部陈复霞整理)
产品特色
‧ 100W CW 功率处理能力
‧ 低插入损耗:0.2 dB
‧ 高隔离性能:55 dB
‧ 低回波损耗:15 dB
‧ 高开关速度:500 nS
‧ 稳定的低泄漏钝化及坚固的玻璃体