亚德诺半导体 (ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology) 推出双通道 4A、42V 输入同步降压切换式稳压器 LT8650S。其独特的 Silent Switcher 2 架构使用了4个内部输入电容及两个内部BST和单个 INTVCC电容,以将热??路面积缩减至最小。LT8650S 具备良好控制的切换开关边缘、用铜柱代替接合线的内部结构和整体接地面,其设计可大幅降低 EMI 辐射。此种改良的 EMI 性能对 PCB 布局不敏感,因此可简化设计、降低风险,甚至在使用两层 PC 板时也不例外。凭藉 2MHz 切换开关频率,LT8650S可在整个负载范围内非常轻易地满足汽车 CISPR 25 Class 5 峰值 EMI 限制。该元件并提供展频调变,以进一步降低 EMI 准位。
![42V、双通道 4A、同步降压 Silent Switcher 2具备超低 EMI 辐射。](/news/2017/10/17/1514034620S.jpg) |
42V、双通道 4A、同步降压 Silent Switcher 2具备超低 EMI 辐射。 |
LT8650S 的同步整流在 2MHz 切换开关频率提供高达94.6% 的效率。其 3.0V 至 42V 的输入电压范围非常适合汽车和工业应用。内部高效率开关可向低至0.8V的输出电压同时提供高达4A的连续输出电流和在任一通道上提供高至 6A的峰值负载。LT8650S 的Burst Mode操作可确保仅 6.2μA 的静态电流 (对於两个通道),非常适合像汽车需要延长电池运作寿命及始终保持导通的系统。
LT8650S仅 40ns 的快速最短导通时间实现了从16V 输入到 2V 输出的 2MHz定频切换,使设计者能够最隹化效率,同时避开对杂讯敏感的关键频段。LT8650S 的 32 接脚4mm x 6mm LQFN 封装和高切换开关频率允许使用小型外部电感和电容,因此可构成精小和具备高热效率的布局面积。
LT8640S 采用内部上下高效率电源开关,并将必要的升压二极体、振荡器、控制和逻辑电路整合於单一晶片中。低涟波Burst Mode操作在低输出电流时可保持高效率,同时输出涟波维持低於 10mVP-P。保留的VC 接脚有助於运用於需要非常快速瞬变响应或两个通道均流的设计。
就需要以最低杂讯运行的应用而言,LT8650S 可设定为在全负载范围内以强制连续模式运行,并具有展频调变功能。其切换开关频率在 300kHz 至 3MHz 范围内是可设定和可同步的。特殊设计方法和新的高速制程使该元件可在宽广的输入电压范围内实现高效率,而 LT8650S 的电流模式拓扑可实现快速瞬变响应和卓越的??路稳定性。其他特点包括晶片温度监视器、电源良好标记、输出软启动 / 追踪和过热保护。
LT8650SEV 采用 4mm x 6mm LQFN 封装。工业温度级版本LT8650SIV经过测试,可在摄氏-40度至125度的操作接面温度范围内保证运作。两种版本均可供货。
产品特色
·宽广输入电压范围:3.0V 至 42V
·从每个通道同时提供 4A 电流
o在任一个通道上提供高达 6A
·Silent Switcher 2 架构:
o在任何 PCB 上具超低 EMI 辐射
o消除了 PCB 布局敏感性
o用於 VIN, BST, INTVCC 的内部电容降低了辐射 EMI
o展频调变
·超低静态电流Burst ModeR 操作:
o6.2μA IQ (调节 12VIN 至 5VOUT1 和 3.3VOUT2)
o输出涟波 <10mVP-P
·外部 VC 针脚:用於实现快速瞬变响应及均流 (每通道额外的 50μA IQ)
·强制连续模式
·高效率同步操作:
o在 2MHz、12VIN 至 5VOUT 转换时效率达 94.6% (在 2A时)
o在 2MHz、12VIN 至 5VOUT 转换时效率达 93.3% (在 4A时)
·快速最短导通时间:40ns
·晶片温度监视器
·可调和可同步:300kHz 至 3MHz
·输出软启动和追踪
·小型散热加强型 4mm x 6mm 32 接脚 LQFN 封装