全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中采用Transphorm公司的氮化??（GaN）技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术，这是一种氮化??场效应管（FET）平台，具有系统设计简单，元件数量少，高性能，高可靠等优点。

Transphorm用於低功耗应用的高可靠性元件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的配接器市场的成熟解决方案。

飞宏的65W配接器外形小巧（51 x 55.3 x 29 mm），配备两个USB-C埠和一个USB-A埠（2C1A），可同时为三台设备充电。这款充电器采用单一650V SuperGaN元件TP65H300G4LSG，与采用准谐振反驰模式（QRF）拓扑结构的矽解决方案相比，功率损失可减少约17%。该配接器还提供高达65W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是一款240毫欧、通过JEDEC认证的PQFN88表面黏着元件，具有+/-18V闸极安全裕度。FET适合於建立在QRF、主动钳位反驰模式（ACF）或LLC谐振拓扑结构上的150W或以下低功率应用。

Transphorm的TP65H300G4LSG具有与矽类似的??值水准和高闸极击穿电压（最大+/-18 V）。它可以与现成的控制器（包括含有整合驱动器的控制器）配合使用，无需负偏置电压。这些功能可简化电源系统的设计；消除对额外周边电路的需求，从而减少元件数量；同时还能增加整个系统的可靠性这些都是飞宏决定采用Transphorm FET的关键原因。Transphorm的氮化??FET具有简单可设计性和可驱动性，并且具有高闸极稳健性。

根据Facts and Factors近期发表的报告显示，预计到2026年全球交流转直流配接器市场规模将达到18.54亿美元，年复合成长率为12.7%。Transphorm也在5月份的报告中指出，其240毫欧元件的发展态势正在不断加强，公司获得了亚洲大型手机（65W）专案和领先的WW电子零售商（140W）专案的ODM预生产订单。此外，该公司的市占率成长还归功於成功赢得一家大企业的另一项笔记型电脑配接器设计专案，其中包括5万个SuperGaN 240毫欧FET的初始采购订单。这些FET可以为65W快充配接器应用提供更高的效率，而竞争对手的e-mode氮化??FET则需要更大的150毫欧元件来满足类似应用的需求。因此，这些Transphorm SuperGaN FET使客户能够利用更小的元件实现更强的性能。

Transphorm亚太区销售??总裁Kenny Yim表示：「SuperGaN平台从一开始就围绕四大关键原则打造：可靠性、可设计性、可驱动性和可重复性。我们的240毫欧元件也不例外。我们让配接器制造商能够设计出体积小、重量轻、发热少的产品，并提供尖端的先进USB充电功能。这些创新正在推动全球配接器市场对氮化??的采用，使我们有能力透过大量生产能力支援高性能的解决方案，从而巩固市场地位。」

TP65H300G4LSG目前可透过得捷电子和贸泽电子取得。