瑞萨电子（Renesas）推出两款全新系列的进阶低功率SRAM (Advanced LP SRAM)，为目前最主要的低功耗SRAM类型，其设计可提供更高的可靠性及更长的备份电池使用寿命，适用于工厂自动化(FA)、工业设备及智慧电网等应用。新款RMLV1616A系列16 Mb装置采用110奈米(nm)制程，RMWV3216A系列32 Mb装置采用创新的记忆体单元技术，可大幅提升可靠性并有助于提供更长的电池运作时间。

全新系列的进阶低功率SRAM有助于提供更长的备份电池使用寿命并降低二分之一的待机电流。

近年来对于高安全与可靠使用者系统的需求，带动高可靠SRAM需求的成长，这些SRAM用于储存重要资讯，例如系统程式与金融交易资料。预防α辐射与宇宙中子辐射造成软体错误是一项重大的议题。处理此问题的典型措施包括在SRAM或使用者系统中内嵌错误修正码(ECC)电路，以修正所发生的任何软体错误。但是，ECC电路的错误修正功能有其限制。例如，有些电路无法修正同时发生且影响多个位元的错误。

瑞萨的进阶低功率SRAM装置的记忆体单元具备独家技术，其软体错误耐受性为传统全CMOS记忆体单元(注3)的500倍以上。因此适用于需要高可靠性的领域，包括FA、测量装置、智慧电网相关装置及工业设备，以及其他许多领域，例如消费性装置、办公室设备及通讯装置。 RMLV1616A系列与RMWV3216A系列的样品自2015年9月已供货，价格依容量而异。两个系列皆于2015年10月开始量产。 （编辑部陈复霞整理）

产品特色

(1)瑞萨独家的进阶低功率SRAM技术可大幅提高软体错误耐受性与可靠性

在瑞萨的进阶低功率SRAM架构中，记忆体单元的每个记忆体节点皆加入堆叠电容器。此组态可抑制软体错误的产生，使其达到有效的零软体错误的水准。另外，每个SRAM单元的负载电晶体(P通道)皆为多晶矽薄膜电晶体(TFT)，并堆叠于矽上形成的N通道MOS电晶体之上。只有N通道MOS电晶体能在下方的矽基板上形成。这表示记忆体区域中不会形成任何寄生闸流体，而且理论上将不可能产生闩锁。因此，进阶低功率SRAM适合需要高可靠性的应用，例如FA、测量装置、智慧电网相关装置、交通系统及工业设备。

(2)将待机电流降低至旧有产品的二分之一以下以延长备份电池使用寿命

新款RMLV1616A系列与RMWV3216A系列的16 Mb装置待机电流仅0.5微安培(μA) (典型值)，32 Mb装置则为1 μA (典型值) 。上述低耗电流等级为瑞萨旧有同级SRAM产品的二分之一以下，因此可延长备份电池的使用寿命。保存资料时的最低电源电压为1.5 V，低于瑞萨旧有同级产品的2.0 V，如此将有助于客户设计以电池电力保存资料的系统。

(3)封装类型

16Mb RAM LV1616A系列提供三种封装:48-ball FBGA、48-pin TSOP (I)及52-pin μTSOP (II),可供客户选择适合其应用的封装。 32 Mb RMWV3216A系列则提供48-ball FBGA封装。