瑞薩電子（Renesas）推出兩款全新系列的進階低功率SRAM (Advanced LP SRAM)，為目前最主要的低功耗SRAM類型，其設計可提供更高的可靠性及更長的備份電池使用壽命，適用於工廠自動化(FA)、工業設備及智慧電網等應用。新款RMLV1616A系列16 Mb裝置採用110奈米(nm)製程，RMWV3216A系列32 Mb裝置採用創新的記憶體單元技術，可大幅提升可靠性並有助於提供更長的電池運作時間。

全新系列的進階低功率SRAM有助於提供更長的備份電池使用壽命並降低二分之一的待機電流。

近年來對於高安全與可靠使用者系統的需求，帶動高可靠SRAM需求的成長，這些SRAM用於儲存重要資訊，例如系統程式與金融交易資料。預防α輻射與宇宙中子輻射造成軟體錯誤是一項重大的議題。處理此問題的典型措施包括在SRAM或使用者系統中內嵌錯誤修正碼(ECC)電路，以修正所發生的任何軟體錯誤。但是，ECC電路的錯誤修正功能有其限制。例如，有些電路無法修正同時發生且影響多個位元的錯誤。

瑞薩的進階低功率SRAM裝置的記憶體單元具備獨家技術，其軟體錯誤耐受性為傳統全CMOS記憶體單元(註3)的500倍以上。因此適用於需要高可靠性的領域，包括FA、測量裝置、智慧電網相關裝置及工業設備，以及其他許多領域，例如消費性裝置、辦公室設備及通訊裝置。RMLV1616A系列與RMWV3216A系列的樣品自2015年9月已供貨，價格依容量而異。兩個系列皆於2015年10月開始量產。（編輯部陳復霞整理）

產品特色

(1)瑞薩獨家的進階低功率SRAM技術可大幅提高軟體錯誤耐受性與可靠性

在瑞薩的進階低功率SRAM架構中，記憶體單元的每個記憶體節點皆加入堆疊電容器。此組態可抑制軟體錯誤的產生，使其達到有效的零軟體錯誤的水準。另外，每個SRAM單元的負載電晶體(P通道)皆為多晶矽薄膜電晶體(TFT)，並堆疊於矽上形成的N通道MOS電晶體之上。只有N通道MOS電晶體能在下方的矽基板上形成。這表示記憶體區域中不會形成任何寄生閘流體，而且理論上將不可能產生閂鎖。因此，進階低功率SRAM適合需要高可靠性的應用，例如FA、測量裝置、智慧電網相關裝置、交通系統及工業設備。

(2)將待機電流降低至舊有產品的二分之一以下以延長備份電池使用壽命

新款RMLV1616A系列與RMWV3216A系列的16 Mb裝置待機電流僅0.5微安培(μA) (典型值)，32 Mb裝置則為1 μA (典型值) 。上述低耗電流等級為瑞薩舊有同級SRAM產品的二分之一以下，因此可延長備份電池的使用壽命。保存資料時的最低電源電壓為1.5 V，低於瑞薩舊有同級產品的2.0 V，如此將有助於客戶設計以電池電力保存資料的系統。

(3)封裝類型

16 Mb RMLV1616A系列提供三種封裝：48-ball FBGA、48-pin TSOP (I)及52-pin μTSOP (II)，可供客戶選擇適合其應用的封裝。32 Mb RMWV3216A系列則提供48-ball FBGA封裝。