Ramtron International推出F-RAM系列产品中的第二款串行组件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行周边接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V05是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串行闪存和串行EEPROM内存的理想替代产品。除512Kb的FM25V05之外，Ramtron较早前也已宣布推出1Mb的FM25V10产品。

Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释，FM25V05为客户提供另一种密度选择，加上Ramtron V系列F-RAM产品较低工作电压和整合功能的特性。Ramtron已计划在V系列中推出其他器件，为客户系统提供广泛的接口和密度选择。

与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V05以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入内存数组，并以最高每秒40Mb的速度连续写入数据。与串行闪存和串行EEPROM比较，FM25V05的耐用性高出几个数量级以上，且功率消耗更低。

FM25V05具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非挥发性内存应用，范围从需要写入次数极高的高频数据采集应用，到严苛的工业控制应用。在这些应用中，由于串行闪存或EEPROM组件的写入时间长而出现潜在的数据丢失风险，因此并不适用。

FM25V05具有一个只读组件ID，可以透过独一无二的序号和/或系统重置选项来命令它。组件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序号使主机拥有一个ID，以区别于世界上任何其他主机。系统重置选项可省去对外部系统重置组件的需要。

FM25V05可在-40℃至+85℃的工业温度范围工作，以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA，待机模式耗电为90μA，睡眠模式耗电更低至5μA。FM25V05的有功功率为每MHz 38μA，其电流较同类串行闪存或EEPROM产品低一个数量级。

Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的公认的130nm CMOS生产制程制造，包含各种并行、串行I2C和SPI内存。先进的制造制程能够提高产品的技术规格及扩展其功能集。Ramtron已计划在2008年年底前推出其他V系列产品，具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列产品均具有可选组件特性，包括独特的序号和系统重置。