Vishay在具有雙面冷卻功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n通道20V、30V及40V元件,從而為設計人員提供了通過更出色的MOSFET散熱性能減小系統尺寸及成本的新方式。
![四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件](/news/2007/01/23/1755091976.jpg) |
四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件 |
這四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件面向電信及資料通信系統中的同步整流、負載點轉換器及OR-ing應用,與市場上僅次於它們的具有雙面冷卻功能的元件相比,這四款元件的導通電阻低48%,導通電阻與柵極電荷乘積的性能高12%。
這些更出色的規範可轉變成能夠降低終端系統功耗的更低傳導及開關損耗。PolarPAK雙面冷卻構造提供的雙散熱通道可在具有強迫通風冷卻功能的系統中實現高電流密度,從而可縮小設計尺寸和/或減少並行 MOSFET的數目。從完全需要並行的意義上講,PolarPAK憑藉其簡潔而直接的外引腳簡化了這些設計,可將來自板佈局的電感降至最低,從而可提高效率,尤其在更高頻率時。
這些PolarPAK元件具有與標準SO-8相同的占位面積,但厚度是它的1/2,僅為0.8毫米。新型20V SiE810DF與SiE808DF、30V SiE806DF及40V SiE812DF的導通電阻範圍介於1.4mΩ~2.6mΩ。它們的導通電阻與柵極電荷乘積優值也非常低。30V與40V元件的FOM分別為127.5及135.2,幾乎與同步整流應用的FOM相同,同時對於可使用由40V擊穿電壓器件提供的額外擴展空間的應用而言,可實現更高額定值選擇。