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ST推出創新的高壓電晶體技術
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2009年05月14日 星期四

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意法半導體推出全新功率MOSFET系列產品,結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性,以及更低的電能耗損率,相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用。

STx7N95K3系列的推出,為功率MOSFET市場切割出全新的950V擊穿電壓標準產品區間。該區間的產品特別適用於那些將電壓提升至400V或更高,以儘可能降低能源耗損的系統。與其他品牌的900V產品相比,意法半導體的950V功率MOSFET電晶體擁有更大的安全工作面積,也因此具備更高的可靠度。同時,設計人員還可用單一950V MOSFET取代雙電晶體電路,從而簡化電路設計、縮減尺寸,並減少使用的元件數量。

此外,意法半導體STx7N95K3系列亦較其他品牌擁有更高的雪崩電流。該項優勢確保產品能夠承受高於擊穿電壓的電湧,以防止過量電湧燒毀元件。最新的900V產品擁有9A的雪崩電流,而市面上功能最接近的產品僅有1A的雪崩電流。

除了耐高壓之外,STx7N95K3系列還能將傳導損耗降至最低程度。新產品的傳導電阻RDS(ON)能降低至1.35歐姆(Ohm)以下,與上一代MOSFET產品相比,等於降低了30%左右的單位面積傳導電阻RDS(ON),協助設計人員進一步提高功率密度與能效。

關鍵字: ST(意法半導體電晶體 
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