意法半導體（ST）於日前宣佈，推出一款高性能功率封裝，這項新技術提高該公司最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。

意法半導體推出一款全新高性能功率封裝

此高度1mm的新型表面黏著封裝，將TO-220工業標準晶片尺寸置於面積僅8x8mm的無針腳封裝內，並具備裸露的金屬汲極接墊，可有效排除內部產生的高溫。該產品體積可讓設計人員設計出更輕薄的電源供應器外殼。

目前已經有兩家公司採用此新標準：意法半導體和英飛凌公司將推出採用此創新封裝方式的MOSFET，分別命名為PowerFLAT 8x8 HV（意法半導體）和ThinPAK 8x8（英飛凌）。

意法半導體功率電晶體産品部行銷總監Maurizio Giudice表示，這項新開發的高性能封裝技術證明ST與英飛淩的合作成績斐然，使ST的客戶可以獲得先進應用設計和全球兩大功率半導體廠支援晶片封裝。這項具有突破性的封裝技術結合意法半導體獨有、業界最先進的MDmesh V製程，ST的全新MOSFET產品將提供同等級額定電壓産品中最高的功率密度和效能。