採用5公釐x 6公釐QFN封裝並具極低Rdson的25 V和30 V裝置

/news/2015/01/22/1349566850S.jpg

德州儀器（TI）推出NexFET產品線的11款新型N通道功率MOSFET，包括擁有低導通電阻（Rdson）且採用QFN封裝的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其適合熱插拔和ORing應用。此外，TI 針對低電壓電池供電型應用的新型 12-V FemtoFET CSD13383F4 在採用 0.6 公釐 x 1公釐的纖巧型封裝情況下實現了極低電阻。

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率，同時在電腦伺服器和電信應用中確保安全的運作。

TI新型CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與針對DC/DC控制器應用的LM27403搭配使用，以構成一款完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。FemtoFET CSD13383F4及CSD17670Q5B和CSD17570Q5B產品可批量採購。（編輯部陳復霞整理）