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宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2015年01月23日 星期五

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宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%。這會提高效率(尤其是元件在更高頻工作時)及增加功率密度並同時減低終端使用者的功率轉換系統的組裝成本。半橋式元件是面向高頻直流/直流轉換應用的理想元件。

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在典型降壓轉換器採用EPC2103半橋式電晶體,在48 V轉12 V、500 kHz頻率下開關及 20 A輸出電流下可實現超過97%的系統效率。而EPC2102氮化鎵半橋元件(60 V)是半橋產品系列的最新成員,在42 V轉14 V、500kHz頻率下開關及18 A輸出電流下可實現98%的系統效率。

以上產品都使用晶片規模封裝方式,可改善開關速度及散熱性能,其尺寸為6.05 毫米 x 2.3 毫米,功率密度更高。

EPC9038及EPC9039開發板的尺寸為2英寸乘2英寸(50.8 毫米x 50.8 毫米),每塊開發板分別包含一個EPC2102或EPC2103整合半橋式元件。兩者皆採用德州儀器的閘極驅動器(LM5113)並含板載電源及旁路電容。開發板的佈局可提升開關性能並設有多個探孔使用戶可易於測量簡單的波形及計算效率。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: 電晶體  半橋式元件  單片式  氮化鎵  半橋功率  閘極驅動器  印刷電路板  宜普電源  電晶體 
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