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ST推出NOR快閃記憶體
90奈米製程尺寸減小50%

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年10月14日 星期二

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半導體製造商ST發佈NOR快閃記憶體,該產品適用於低電壓及高效能應用。採用90奈米製程技術,NOR快閃記憶體僅佔據0.08µm2的矽晶片面積,尺寸比採用130奈米的同級產品減小了50%。此外,ST也已經利用相同的晶圓發展128Mbit的快閃記憶體原型晶片,目前該產品已進入評估階段。

該公司指出90奈米NOR快閃記憶體製程技術是由ST位於義大利Agrate的非揮發性記憶體研究中心所開發的。ST非揮發性記憶體研究中心總監Paolo Cappelletti表示:「與當前的130奈米技術相比,新的90奈米技術具有兩項主要優勢:1、減小晶片面積;2、增加晶片上周邊CMOS電路的效能,使其能讀取被寫入到記憶體陣列中的資料。」Cappelletti進一步指出:「採用新技術來減小50%的晶片面積,相當於可為128Mbit,甚至更大容量的記憶體元件減少40%的晶片面積,這將顯著地減少每位元的成本。」

ST副總裁兼研發中心總監Joel Monnier表示:「透過同時改良記憶體密度與CMOS邏輯效能,新的90奈米技術將進一步強化ST在系統單晶片(SoC)的地位,因為SoC的設計必須將嵌入式記憶體與複雜的數位、類比電路整合在單晶片上。」

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