快捷半導體(Fairchild Semiconductor)近日推出了全新系列18種N通道MOSFET元件，採用業界首個結合大型TO-263封裝(D2-PAK)的熱性能和極低RDS特性的標準SO-8封裝形式。十八種新元件均採用無底(Bottomless)封裝技術，包括：兩種150V和兩種200V元件，適用於48V電訊DC/DC應用；六種40V元件，設計用於低輸入電壓單電晶體正向DC/DC轉換器；兩個電晶體正向轉換器以及半橋接轉換器的初級端；以及四種20V和四種30V元件，適合計算和同步整流器隔離DC/DC轉換器的低端開關應用。

快捷表示，這種獨特封裝採用快捷半導體為其MOSFET BGA元件首創的焊錫凸塊(solder-bump)技術。傳統SO-8封裝採用線接合(wire-bond)技術，無引線型SO-8封裝可降低封裝電阻和電感，但不會顯著改進熱性能。這種無底封裝省掉線接合，使PCB散熱器直接與MOSFET晶片的可焊接背面接觸，同時實現這兩個目標。

此種新封裝將接面至外殼熱阻抗降低至0.5°C/W以下，與傳統SO-8封裝的25°C/W接面至引線(junction-to-lead)熱阻抗相比，這是一個大改進。無底SO-8封裝的熱阻抗甚至低於D2-pak封裝，而且它的佔位面積僅為30mm2，而D2-pak則為155mm2，這樣設計者僅用D2-pak封裝所需PCB板表面面積的20%，即可達到所需的性能要求。從封裝底部的汲極接點及與MOSFET源極熱耦合極好的源極引線進行熱傳導，可進一步改善熱阻抗性能。