ST宣佈，該公司已經開發出一種替代傳統使用砷化鎵(GaAs)為材料的手機用射頻功率放大器的新產品。截至目前為止，行動電話製造商仍被迫使用昂貴的GaAs元件以生產所需的功率放大器，因為矽製程仍然滿足行動電話用900-1900MHz射頻頻率所需的效能要求。

砷化鎵(GaAs)為材料的手機用射頻功率放大器

ST表示，儘管砷化鎵、磷化銦鎵等半導體材料已被使用在許多特殊應用中，但絕大多數的電子元件仍然是'矽晶片'，這意味著它們採用矽做為原料，這種半導體材料較便宜，來源多且無毒性。

ST公司位於義大利Catania大學，負責研發此一新技術的離散與標準電路小組負責人Giuseppe Ferla表示，「如果製造商們有更多選擇，那麼他們不會選擇矽以外的材料，但是行動電話製造商不同，因為直到現在，矽晶片的功效都無法達到手機用功率放大器的標準。」

ST公司在連接新射頻元件的設計方案上增強了矽晶片雙極技術，這是有始以來第一次，矽晶片得以實現與砷化鎵元件相同的，在手機需求頻率範圍應用上之需求，新技術保留了所有矽晶片技術的優點，如低價、可靠度與靈活度。值得一提的是，由於新的功率放大器是採用矽為材料，因此其偏壓與電源控制電路的應用均相同於當前常用的分離式矽晶片，它能與電源元件合併使用，提供高水平的整合度，當然，它也具備極佳的成本效益。

儘管仍有許多潛在應用，但這項新技術在發展時，是特別針對行動電話製造商的需求而設計的。"蜂巢式手持裝置市場正面臨激烈的競爭，迫使製造商們大幅壓縮零件成本。我們最初瞄準的方向，是延伸矽晶片技術的效能，使行動電話製造商無需被迫使用昂貴且整合性較矽為低的砷化鎵做為功率放大器的主要材料。

ST預計在2002年4月發表第一款商用化產品，預料這顆新元件在整合ST的先進技術與Catania大學在射頻設計上的創新連接技術後，將能完全取代現有的砷化鎵元件，讓行動電話製造商在無需犧牲功效的情況下，有效降低其零件成本。