意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波(high-voltage spikes)的環境中,650V額定電壓能夠?目標應用帶來更高的安全系數,有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性。這兩款元件擁有極低的導通電阻(RDS(ON)),分別?0.032Ω 和0.049Ω,結合精巧的TO-247封裝,可提高系統能效和功率密度。
![TO-247封裝的650V車規MOSFET BigPic:341x493](/news/2013/08/14/2101365960S.jpg) |
TO-247封裝的650V車規MOSFET BigPic:341x493 |
新?品市場領先的性能歸功於意法半導體的MDmesh V 超接面(super-junction)技術。此項技術可製造單位矽面積導通電阻RDS(ON)極低的高電壓元件,使晶片的封裝尺寸變得更小。閘電荷(Qg)和輸入電容也極低,因此,Qg x RDS(ON)品質因數(figure of merit,FOM)極其出色,並擁有高開關性能和能效。此外,其優異的抗雪崩(avalanche)特性可確保元件在持續高電壓環境中擁有高耐用性。
MDmesh V整合意法半導體專有的垂直式製程(vertical process)技術和經市場驗證的PowerMESH水平式架構(horizontal architecture),導通電阻較同等級的MDmesh II元件減少大約50%。
意法半導體採用TO-247封裝的650V車規MOSFET現已量?。