德州儀器 (TI) 於昨日（1/13）宣佈，針對高電流DC/DC應用推出首款透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。DualCool NexFET功率 MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50%，並且提供了更好的散熱管理。

TI推出新款可降低頂部熱阻的功率MOSFET

TI表示，在35A的高電流單相位DC/DC同步降壓轉換電路應用上，只需要在上端與下端各採用一顆MOSFET，此外，該系列產品之增強型封裝技術可將封裝頂部的熱阻從每瓦10 ~ 15°C降至每瓦1.2°C，進而提升 80% 的功耗效能。

該系列包含5款 NexFET裝置，可協助電腦運算與電信系統的設計人員使用更高電流的處理器，在顯著節省電路板空間的同時配備容量更大的記憶體。這些採用先進封裝的 MOSFET 可用於桌上型電腦、伺服器、電信或網路設備、基地台以及高電流工業系統等廣泛的終端應用中。

TI 資深副總裁暨全球電源管理部門經理 Steve Anderson指出，為了滿足各種基礎設備市場對處理功率的更高要求，客戶要求以更小的封裝實現具有更高電流的DC/DC電源。DualCool NexFET 功率MOSFET在不改變尺寸的同時能處理更多電流，可充分滿足客戶需求。