為滿足對高熱效功率半導體不斷增長的需求，Vishay宣佈推出七款採用新型PowerPAK ChipFET封裝的p通道功率MOSFET，該封裝可提供高級熱性能，其占位元面積僅為3mm×1.8mm。

PowerPAK ChipFET元件

這些新型PowerPAK ChipFET元件的熱阻值低75%，占位面積小33%，厚度（0.8 毫米）薄23%，它們成為採用TSOP-6封裝的MOSFET的小型替代產品。

這些元件的最大功耗為3W，與更大的SO-8封裝的相同。

憑藉低傳導損失及更高熱效，Vishay新型PowerPAK ChipFET系列中的p通道功率MOSFET可延長可擕式設備的電池使用時間，在這些器件中，它們將用於替代採用TSOP-6封裝的負載、充電器及電池MOSFET開關。此外，肖特基二極體版本的p通道還可作為可擕式設備或非同步直流到直流應用中的充電器開關，例如硬碟驅動器及遊戲機中的充電器開關，以替代採用SO-8封裝的元件。由於這些新型PowerPAK ChipFET功率MOSFET具有多種配置及電壓，因此設計人員可利用採用這種創新封裝的器件輕鬆替代熱效更低的更大MOSFET。日前推出的這七款新型元件為單通道、雙通道及單通道帶肖特基二極體的功率MOSFET，它們的額定擊穿電壓為12V及20V。