意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET电晶体STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极体之特性，降低功率转换、马达控制和配电电路的耗能和杂讯。

意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET电晶体

新型40V N沟道加强型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充沟槽技术达到卓越的品质因数。在闸源极电压（VGS）为10V时，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG之最大导通电阻（Rds(on) ）分别为0.8mOhm和和0.75mOhm。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可采用节省空间且热效率高的PowerFLAT 5x6封装。

意法半导体先进STripFET F8技术开关速度十分出色，其低晶片电容可以最大限度降低栅漏电荷等动态叁数，提升系统效能。设计人员可在600kHz至1MHz范围内选择开关频率，以便於使用尺寸更小的电容和磁性元件，进而节省电路尺寸和物料清单成本，提升终端应用的功率密度。

适当的输出电容和相关的等效串联电阻可防止漏源电压出现尖峰，并确保在二极体关断时突降振荡时间更短。 藉由这一点和二极体的软恢复特性，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG发出的电磁干扰（EMI）低於其他类似元件。此外，体寄生二极体的反向恢复电荷极低，可最大限度地减少硬开关拓扑的能量损耗。

闸极??压（VGS(th) ）在STL320N4LF8和STL325N4LF8AG中受到严格控制，确保元件之间的??压差异低，以便并联多个MOSFET功率元件，处理更大的电流。其短路耐受能力亦非常出色，可承受高达1000A的电流（脉冲短於10μs）。

STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分别为首款符合工业标准和AEC-Q101汽车标准的STPOWER STripFET F8 MOSFET元件，是电池供电产品和运算、电信、照明和通用功率转换应用的理想选择。

STL320N4LF8和STL325N4LF8AG均已量产。