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【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2024年04月25日 星期四

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全球氮化鎵(GaN)功率半导体供应商Transphorm与适配器USB PD控制器IC供应商伟诠电子Weltrend Semiconductor)今(25)日推出两款新型系统级封装氮化鎵器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化鎵 SiP组成首个基於 Transphorm SuperGaN平台的系统级封装氮化鎵产品系列。

Transphorm与伟诠电子合作的新款整合型SiP氮化??器件,目前已增至三款,均使用Transphorm的SuperGaN,为支援新一代适配器和充电器拓展了功率等级
Transphorm与伟诠电子合作的新款整合型SiP氮化??器件,目前已增至三款,均使用Transphorm的SuperGaN,为支援新一代适配器和充电器拓展了功率等级

新推出的两款SiP器件型号WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,整合了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和Transphorm的150毫欧和480毫欧SuperGaN FET。与上一款240毫欧器件(WT7162RHUG24A)相同,两款新的器件与USB PD或可程式设计电源适配器控制器配对即可提供整体适配器解决方案。值得注意的是,它们还可提供更多创新功能,包括UHV谷底跟踪充电模式、自我调整OCP补偿和自我调整绿色模式控制等,使客户能够使用更少的器件、最精简的设计方案,更快地设计出高品质的电源产品。

终端产品制造商想方设法开发物料(BOM)成本更低、但同时又具备灵活、快速充电、和更高功率输出的新型适配器。此外,针对许多应用场景,制造商还希望提供具有多个埠和/或多种连接类型的更为通用的充电器。而所有这些方案,产品外形都要做到更小、更轻。

Transphorm常闭型d-mode SuperGaN 技术平台的主要优势,包括:同类最隹的稳固性(+/-20V的栅极裕度和4V的抗扰性)及可靠性(FIT失效率<0.05),并且功率密度比矽器件高50%。伟诠电子精简的SiP设计,利用上述GaN器件优势以及自身的创新技术,打造出一款近乎隨插即用的解决方案,缩小外形尺寸的同时,加快设计速度。

關鍵字: 氮化??器件  SiP  Transphorm  伟诠电子合作推出新款整合型 
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