美商超微半導體(AMD)近日發表一款新型雙閘電晶體。這種電晶體全長只有10奈米(nm)，即閘長為100億分之一米，比目前生產的最小電晶體還要小六倍。AMD這項新技術的突破，使目前只能夠內含一億顆電晶體的晶片，可以提升容納到十億顆電晶體。AMD指出，電晶體其實是一種微型開關，而微處理器內的積體電路全部由電晶體組成。雙閘電晶體架構實際上將電晶體可以容納的電流量提高一倍。在設計上，鰭式場效電晶體(FinFET)利用一片細薄的“魚鰭型”(Fin)垂直矽片防止電晶體在“關閉”時出現漏電情況。AMD將不同的設計整合一起，使新晶片的效能更高，但體積則不斷縮小。

AMD技術開發副總裁Craig Sander表示，「我們必須開發創新的電晶體，才可進一步提高晶片的效能，以滿足客戶的需要。整個半導體業一直努力克服一切困難，設計外型更小巧及效能更高的全新電晶體，並確保全新的電晶體可沿用絕大部分目前的業內標準製程技術進行量產。FinFET電晶體的推出顯示AMD可以沿用業界一直信賴的基本技術架構，繼續為客戶提供效能更高的晶片產品。」AMD就有關10奈米CMOS FinFET電晶體進行的實驗是與美國加州大學柏克萊分校的一項合作研究計劃，而Semiconductor Research Corporation(SRC)更一直為這項研究提供技術支援。這款CMOS FinFET電晶體是在AMD的亞微米開發中心(SDC)成功開發出來的。

加州大學柏克萊分校電子工程及電腦科學系副教授Tsu-Jae King博士表示，「由於FinFET電晶體具有漏電控制特性，因此最適合用來製造未來一代體積以奈米計的CMOS晶片。預計這類奈米CMOS晶片可在十年內正式量產。FinFET電晶體的特性顯示CMOS技術有很大的可塑性及發展潛力。」AMD與加州大學將會在國際電子裝置會議(IEDM)上聯名發表一篇題目為“FinFET的閘長縮小至10奈米”的論文。國際電子裝置會議定於2002年12月9日至11日在美國舊金山舉行。