英飛凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點。

JFET 採用單片整合二極體，切換效能與SiC Schottky 二極體不相上下

英飛凌高壓功率轉換產品部門主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「此次推出的 CoolSiC 同樣也是具革命性、高度創新的技術，尤其能讓太陽能逆變器的效能達到新的水準。 運用英飛凌最新的 SiC JFET 技術，客戶便能進一步打造未來拯救氣候的解決方案。」

相較於 IGBT，全新的 CoolSiC 1200V SiC JFET 大幅降低切換耗損，可應用更高的切換頻率，不需犧牲系統整體的效率。因此能夠使用體積更小的被動元件，進一步縮小整體解決方案的體積與重量，並降低系統成本。換句話說，該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。

為確保恆開的 JFET 技術的安全性及使用方便性，英飛凌開發了一項名為直驅技術 (Direct Drive Technology) 的概念。JFET 應用的這個概念結合了外部的低電壓 MOSFET 及專用的驅動 IC，確保系統能安全開啟，而且能在安全且受控制的情況下切換。

CoolSiC JFET 採用單片整合二極體，切換效能與外接式的 SiC Schottky 二極體不相上下，此一搭配組合能讓效率、可靠性、安全性及使用方便性達到顛峰。