高溫半導體解決方案的CISSOID，引進VENUS的新系列高溫30V的P通道功率MOSFET晶體管，其保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率MOSFETs的VENUS系列命名為CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A、4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的N通道MOSFETs的SATURN系列。

VENUS功率MOSFETs表現出色的高溫性能。在攝氏225度，CHT-PMOS3002的柵極漏電流保持低於50nA，而其漏極電流低至10μA，其開啟延遲時間為30ns。此系列導通電阻和輸入電容範圍分別為從0.4μ至1.7Ω及從150pF至450pF。

CISSOID的VENUS系列在惡劣環境下，從攝氏負55度到225度，使任何需要可靠功率控制的系統能得以設計，從電機驅動器，DC-DC轉換器和開關電源，到逆變器。此外，P通道晶體管使設計及高邊開關的控制更容易，避免引導或電荷泵技術。有了VENUS產品，系統設計工程師可以節省成本，提高可靠性，改善重量，同時從其應用中禁止液體冷卻，例如工業通程控制，汽車電池充電器和飛機執行器。

CHT-PMOS3002、CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008在TO-254金屬封裝的評估用之樣品現在已可立刻提供。數量在200粒以上，起價為歐元201.40一個。