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Diodes閘極驅動器可在半橋或全橋組態下開關功率MOSFET與IGBT
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2016年03月14日 星期一

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Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半橋式閘極驅動器及6款高/低側600V閘極驅動器,可在半橋或全橋組態下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家電的驅動馬達、工業自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產品還適用於超過600W的電源,以及燃料電池、太陽能和風力發電應用的逆變器。

Diodes閘極驅動器可在半橋或全橋組態下開關功率MOSFET與IGBT
Diodes閘極驅動器可在半橋或全橋組態下開關功率MOSFET與IGBT

DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側驅動器,使之適用於在馬達驅動器及電源常見的高壓電源軌。高峰值電流驅動能力實現MOSFET與IGBT的快速開關,從而在高頻率操作下提升效率。這些元件的輸入邏輯相容低至3.3V,進一步簡化控制器及電源開關之間的介面設計。

為防止MOSFET或IGBT出現擊穿效應,所有元件都提供延遲匹配能力,而半橋式驅動器還配備預設的內部死區時間。其他自我保護功能包括有效防止觸發故障狀態的史密特 (Schmitt) 輸入;能夠承受由高dV/dt開關所產生負瞬態的閘極驅動器,以及可在低供電電壓情況下防止故障的欠壓閉鎖。

新產品系列採用SO-8或SO-16封裝,與其他來源的元件引腳相容。

關鍵字: 閘極驅動器  全橋組態  開關功率  MOSFET  IGBT  逆變器  Diodes  電子邏輯元件 
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