意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出採用先進PowerFLATTM 5x6雙面散熱（Dual-Side Cooling，DSC）封裝的MOSFET電晶體，新品可提升汽車系統電控單元（Electronic Control Unit，ECU）的功率密度，已被汽車零配件大廠電裝株式會社（Denso）所選用，該公司提供全球所有主要車廠先進的汽車技術。

ST採用先進PowerFLATTM 5x6雙面散熱封裝的MOSFET電晶體，新品可提升汽車系統電控單元的功率密度，已被汽車零配件大廠電裝株式會社（Denso）所選用。

STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率電晶體，可用於汽車馬達控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLAT 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極顯露於在外部，以進一步提升散熱效率，這樣設計讓內部晶片有更高的額定輸出電流，並提升功率密度，讓設計人員能夠研發更小的電控元件，而無需在功能、性能和可靠性之間做出取捨。

新款STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG最大吸極電流（drain current）為120A，而最大導通電阻則分別是1.5 m?和3.0 m?，其確保高效、簡化系統熱管理。此外，總柵電荷分別為172nC和91nC，元件本身電容極低，這有助於在高速開關時提升效能。

這兩款40V MOSFET元件是意法半導體一個新產品家族的首批產品，其採用意法半導體的STripFET F6技術和溝槽式閘極結構，額定電流和電壓範圍寬廣，適用於汽車產品。新的MOSFET可用在極其惡劣的工作環境，包括最高175°C的發動機艙。這些產品100%經過雪崩額定值測試，其封裝的可潤濕側翼引線可實現最佳焊接效果，並完全支援自動光學檢查。

STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通過AEC-Q101認證，即日上市。此外，該產品家族今年還將推出STripFET F7產品。