德州儀器（TI）近日宣佈，推出一款用於配合高密度電源轉換器中MOSFET與氮化鎵（GaN）功率場效電晶體（FET）使用的低側柵極驅動器（low-side gate driver）。最新LM5114可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的GaN FET 與 MOSFET。該產品系列加上2011年推出的首款100 V半橋 GaN FET驅動器LM5113，可為高效能電信、網路以及資料中心應用中使用的大功率GaN FET與MOSFET 提供完整的隔離式DC/DC轉換驅動器解決方案。

配合高密度電源轉換器中MOSFET與氮化鎵（GaN）功率場效電晶體（FET）使用的低側柵極驅動器（low-side gate driver）

LM5114可透過5 V電源電壓的獨立源極與汲極輸出驅動標準MOSFET與GaN FET。它具有使用較大或並行 FET的大功率應用中所需的7.6 A高峰值關斷電流功能。此外，提高的下拉強度（pull-down strength）還有助於該元件適當驅動GaN FET。獨立源極與汲極輸出不但省去對驅動器路徑中二極體的需求，而且還可對升降時間實現嚴密控制。