瑞薩科技近日發表R2J20653ANP，整合了驅動器與MOSFET，適用於筆記型電腦CPU、記憶體等穩壓器（VR）。此產品符合整合式驅動器MOSFET（DrMOS）標準，可承受高電壓；輸入電壓最高達27V，並可達到91%最高供電效率（以輸入電壓 20V及輸出電壓1.1V運作時），且於2009年12月7日開始量產。

R2J20653ANP

整合式驅動器MOSFET（DrMOS）是由Intel提出的半導體裝置封裝標準，DrMOS將CPU等電源供應器所需要的兩種類型功率MOSFET及單個驅動IC整合於單一封裝中。R2J20653ANP是符合此標準的高度整合裝置，用途包括將20V輸入電壓轉換為1.1V CPU電源供應電壓。

R2J20653ANP將CPU等電源供應器所需要的兩種類型功率MOSFET及單個驅動IC，整合至單一0pin QFN封裝，尺寸僅6.0 × 6.0 × 0.95（mm）。相較於傳統使用三個封裝的分離式產品（與瑞薩科技產品比較），如此可使安裝面積降低至約 70%。此外，R2J20653ANP是第一款DrMOS相容並且在驅動IC中整合兩階段過熱保護功能之產品，包括過熱警示功能及過熱停止運作功能。

此產品的高散熱封裝適用於高速切換，因此可縮小外部被動元件（例如電感或電容）的尺寸與數量。其封裝的針腳相容於瑞薩科技支援12V輸入電壓—適用於伺服器等之R2J20651ANP DrMOS相容產品。如此將可縮短將R2J20653ANP運用於現有系統所需的開發時程。

瑞薩表示，此產品的推出，將有助於縮小筆記型電腦CPU電源供應器的尺寸，並提供更優異的效能，預期將帶動DrMOS標準的廣泛採用。