蔡司推出Crossbeam Laser FIB-SEM 量級化速度加快封裝失效分析

蔡司（ZEISS）宣布推出蔡司Crossbeam Laser，專為指定區域使用的聚焦離子束掃描式電子顯微鏡（FIB-SEM）全新系列解決方案，可大幅提升先進半導體封裝失效分析及製程優化的速度。蔡司Crossbeam Laser系列結合飛秒雷射的速度、鎵離子（Ga+）光束的準確度以及掃描式電子顯微鏡的奈米級影像解析度，為封裝工程師與失效分析師提供最高影像效能及最快速的橫切面解決方案，同時將樣品損壞降至最低。

圖一 : 蔡司Crossbeam Laser FIB-SEM為先進半導體封裝加速封裝失效分析及製程優化。透過將飛秒雷射、鎵離子FIB與場發射電子顯微鏡整合成單一工具，以提供最快速的指定區域橫切面工作流程。

在獨特的架構下，蔡司Crossbeam Laser系列可以快速掃描出深埋的封裝互連物，如銅柱焊錫凸塊與矽穿孔（TSVs），以及裝置的後段製程（BEOL）與前段製程（FEOL）結構，整體過程只需幾分鐘，反觀其它方式則需耗時數小時、甚至數天，同時還能在真空狀況下將影像缺陷降至最低，並依舊維持樣品的品質。除了提供失效分析外，蔡司Crossbeam Laser系列也可協助進行結構分析、架構分析、逆向工程、FIB斷層掃描與穿透式電子顯微鏡（TEM）的樣品準備。目前多套蔡司Crossbeam Laser系統已出售給大型的全球電子製造商。

3D封裝所需的失效分析新方法
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