一年一度的CES 2013消费者电子展已完美落幕，各家厂商无不奋力展示自家极具创新的技术与产品。可以预见的是，2013绝对还是行动装置设备的大时代，连一向统治PC领域多年的Intel，也不得不对臣服于这波『行动装置势力』狂潮。如今，黑潮来袭，谁能够在这行动装置市场里捕捞最丰富的渔获，就必须看各家行动装置芯片厂商口袋中的法宝为何，才能够在2013年的开始盖上第一块敲门砖。

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以下为各家厂商于CES2013会场上所发布行动装置芯片处理器汇集：

1.Nvidia Tegra4：

全新的Tegra4，主要架构与Tegra 3相同，采用的是4+1设计的处理器，并且使用Cortex-A15架构。而4+1的运行原理为当处于高速运算时，就会使用4核心来运算，但如果是在一般模式下时，便只会使用另一颗低功耗核心来进行运算，以便达到效能兼具省电之间的平衡，Tegra 4的四个核心最高频率可达1.9GHz。而Tegra 4的制程技术是采用台积电28nm HPL，其特点是低功耗加高K金属栅极，与28nm HPM的不同之处是更注重漏电率与性能之间的平衡。

2.Intel 22nm Atom Bay Trail：

Intel Atom Bay Trail为第一款四核心Atom处理器，基于22nm制程技术，主要使用于平板计算机。Bay Trail是截至目前最强大的Atom处理器，运算效能是Intel上一代平板计算机产品的2倍之多。此款芯片采用三栅极晶体管技术，以及四核心SoC，效能可提升50%-100%，而在图形处理效能方面比起Gen7显示芯片提升3倍。

同时，Bay Trail能够执行DirectX 11版本，对于分辨率支持高达2560*1600。并具有DDR3L 高速内存、支持USB 3.0。Intel官方表示：「藉由Bay Trail，将可充分利用Intel的核心运算优势，能够在目前系统芯片开发基础上升级、加速。Intel将充分利用丰富的软件资产以及专长。」，而Bay Trail将预计在2013年年底上市。

3.三星Exynos 5 Octa：

三星Exynos 5 Octa八核心处理器采用ARM的big.LITTLE处理器技术，Cortex -A15架构部分采用28nm制程。严格来说Exynos 5 Octa并非真正的八核心处理器，而是在一个芯片封装中包含两个四核心芯片，其分别为1.8GHz的Cortex-A15架构以及1.2GHz的Cortex-A7构架。该处理器不仅能够在提供高效能的同时兼顾节能，四个A15核心负责处理游戏与高画质影片等效能需求较高的工作，另外四个Cortex A7核心则负责用于处理处理文件以及电话等效能需求较低的工作。

Exynos 5 Octa八核处理器效能远高于采用Cortex-A15架构的Exynos 5 Dual双核心处理器，加上采用Mali-T600 系列图形处理核心，其3D图型处理效能更是当前Exynos 4四核心处理器的两倍之多。至于令人关心的耗电问题，三星当然不会因为追求高效能而失了里子，Exynos 5 Octa八核处理器在耗电方面最高可节省70%电力，可说是高效能低耗电。

4.Qualcomm Snapdragon 800、600、400、200系列处理器

Qualcomm在CES 2013消费性电子展览上发表了新一代Snapdragon处理器，将原有的S1、S2、S3、S4系列代号更改命名为 200、400、600、800系列，以及使用全新核心架构，并且搭配显示高效能的Adreno 330 GPU，更支持LPDDR3内存，以提供强大的运算效能。Snapdragon 800为最高等级，采用的是28nm HPm制程技术，其最高运算频率可达2.3Ghz，官方表示比起Snapdragon S4 Pro效能高出75%。

而新版本的Krait 400架构不仅提升多媒体处理能力，亦能保有低功耗。也有效改善电力损耗，主要锁定中高阶手机、平板计算机与智能型电视等市场，2013年年中将可望看到搭载Snapdragon 800的相关产品上市。另外，Snapdragon 600应用于中高阶行动装置设备，其特色为拥有高效能还能维持低功耗；Snapdragon 400则适用于中低阶行动装置设备；Snapdragon 200则锁定入门款行动装置设备。

5.中国瑞芯微四核心RK3188

中国芯片厂商瑞芯微发布首颗基于28nm制程技术之四核心芯片RK3188，该芯片的市场定位锁定在平板计算机。采用Cortex-A9核心，比起Cortex-A7效能提升35%，而在GPU效能部分采用ARM Mali-400所以比Tegra 3快上40%。

RK3188除了内建高效能2D加速硬件，并配备High-Speed Inter Chip高速通信端口，支持超高画质分辨率，未来还能支持Android4.2及更高版本。除了大幅提升效能之外，凭借着28nm制程技术也获得更低的功耗。RK3188使用了HKMG（高介电常数金属闸极）技术，能够在防漏电方面表现更为出色。