旺宏电子和力晶半导体，分别召开董事会，会中通过双方签订备忘录(MOU)，主要内容为旺宏电子将于2006年4月1日将晶圆三厂、洁净室及其附属设备，售予力晶半导体；双方同意在90奈米以下之NVM/ Flash先进制程进行合作，力晶并愿意提供12吋晶圆厂之产能以满足旺宏新世代产品成长之需求。

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旺宏电子专注在非挥发性内存(NVM)及Flash产品之研究发展，考虑未来产品制程技术、研发时程及成本效益的需求，结合双方的资源，在最短时间内提升产品竞争力，以满足客户在高密度内存产品的需求；同时，旺宏借着此转售可进一步达到整体成本的改善，对未来获利将可进一步贡献，旺宏电子将更聚焦于产品技术之研发，加速新产品之引进。

已拥有二座12吋、一座8吋晶圆厂的力晶半导体，现有产品线涵盖DRAM、Flash及晶圆代工服务。透过这项购厂行动，力晶可立即在今年取得一座12吋晶圆厂及月产能高达三万五千片的扩充空间，顺利弥补该公司因建厂土地取得延迟所导致的产能扩张迟滞，而这座于2006年就能创造营收绩效的新厂，不仅确保力晶产能连续扩充的成长动能，也将使力晶更能掌握今年内存市场的成长商机。此外，力晶半导体计划在今年第一季，于台中后里科学园区动土兴建总月产能高达十二万片的二座全新12吋晶圆厂，预计2007年中可以陆续投入量产。