据中央社报导，国内DRAM大厂力晶半导体计划在近年内增建两座12吋晶圆厂，以满足未来市场需求；力晶发言人谭仲民表示，目前该公司已向主管机关提出用地需求，最快明年就能动土兴建。力晶目前拥有的12吋晶圆厂，除兴建中的12B厂外，已有1座正在运作的12A厂，主要用来生产标准型DRAM，最大月产能为4万片。

该报导指出，依力晶规划，今年第3季完工、明年正式量产的12B厂在正式运作后，2005年底旗下2座12吋晶圆厂月产能将达8万片，将跻身世界前三大12吋晶圆产能厂商。谭仲民表示，力晶12A厂目前月产量已经推升到3万片，主要以0.13微米制程生产标准型DRAM，目前除展开0.11微米制程的量产作业，并与日商Elpida合作试产0.1微米DDRⅡ。

谭仲民指出，12B厂已加紧赶工兴建，预估明年底产能就能达满载水位，由于未来DRAM市场需求仍强，力晶已规划陆续兴建第3、4座12吋晶圆厂（12C、12D），每座厂预计投资20亿美元，不过目前最大的障碍在于建厂土地取得问题。而力晶已积极与国科会和经济部提出土地需求，且倾向于将建厂地点集中在新竹地区，但因竹科地使用已经饱和，能否尽如预期在新竹设厂还是未知数。

谭仲民表示，一旦建厂土地有着落，为衔接景气需求，力晶将马上进行12C厂的整地、勘验，环境评估等动作，最快明年就会开始动土。而在12C厂动土后，12D厂的规划也可望陆续展开。