據中央社報導，國內DRAM大廠力晶半導體計劃在近年內增建兩座12吋晶圓廠，以滿足未來市場需求；力晶發言人譚仲民表示，目前該公司已向主管機關提出用地需求，最快明年就能動土興建。力晶目前擁有的12吋晶圓廠，除興建中的12B廠外，已有1座正在運作的12A廠，主要用來生產標準型DRAM，最大月產能為4萬片。

該報導指出，依力晶規劃，今年第3季完工、明年正式量產的12B廠在正式運作後，2005年底旗下2座12吋晶圓廠月產能將達8萬片，將躋身世界前三大12吋晶圓產能廠商。譚仲民表示，力晶12A廠目前月產量已經推升到3萬片，主要以0.13微米製程生產標準型DRAM，目前除展開0.11微米製程的量產作業，並與日商Elpida合作試產0.1微米DDRⅡ。

譚仲民指出，12B廠已加緊趕工興建，預估明年底產能就能達滿載水位，由於未來DRAM市場需求仍強，力晶已規劃陸續興建第3、4座12吋晶圓廠（12C、12D），每座廠預計投資20億美元，不過目前最大的障礙在於建廠土地取得問題。而力晶已積極與國科會和經濟部提出土地需求，且傾向於將建廠地點集中在新竹地區，但因竹科地使用已經飽和，能否盡如預期在新竹設廠還是未知數。

譚仲民表示，一旦建廠土地有著落，為銜接景氣需求，力晶將馬上進行12C廠的整地、勘驗，環境評估等動作，最快明年就會開始動土。而在12C廠動土後，12D廠的規劃也可望陸續展開。