工研院研发的电阻式非挥发性内存(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研发成果，获选在2008国际电子组件会议(International Electron Devices Meeting, IEDM)，向全球电机电子研发菁英发布最新技术进展。

RRAM具有下世代非挥发性内存的潜力而备受业界关注，预计在未来有机会取代闪存（Flash）及DRAM。工研院电光所自2006年开始进行RRAM研发，此次发表的RRAM研发进展包括：操作功率远低于目前已发表的RRAM，最低可达23奈安培的电流及1.5V的低电压特性；操作时间也极为快速，可达10奈秒以下，媲美DRAM操作速度；具有5个电阻态，可进行多阶操作；读写次数可达106次；以及在200℃的温度下，数据可储存10年以上之优异特点。此外，还具有运用与业界高兼容性的高介电常数材料(high-K)及金属及制程结构简单之特点，突破现今运用铂等贵金属材料及复杂制程的RRAM，能快速实现RRAM移转业界进行量产之可能性。