据外电报导，英特尔为夺回全球闪存（Flash）第一大厂宝座，已于2月份开始积极进行扩产动作，计划在2004年将Flash产能提升3倍，并在2006年进一步提升产能10倍以上。而英特尔计划中的扩充产能动作，包括扩充晶圆厂设备以及推出90奈米制程Flash产品。

市调机构iSuppli指出，由于2003年初英特尔在Flash市场欲以涨价策略扩张市占率的误判，使得英特尔在全球Flash市场比重，从2002年的26.1％骤降到2003年的15％左右，排名亦从2002年时的全球第一下滑至第四，落后三星（Samsung）、超威（AMD）与富士通（Fujitsu）合资的FASL及东芝（Toshiba），再加上海力士（Hynix）、英飞凌（Infineon）、意法微电子（STMicroelectronics）等业者强敌环伺，迫使英特尔全面展开反击。

根据英特尔最新发布第二季（4～6月）季中财测，因为在移动电话和其他可携式产品Flash需求成长挹注，第二季营收预测从原先76～82亿美元，向上紧缩至80～82亿美元间，而毛利率预测为60～61％，较之前预测的60％略微调升。

目前Flash销售成长强劲，超乎原先预期，而移动电话的需求持续增长，将有利于英特尔NOR型Flash销售表现持续进步。