聯電積極佈局記憶體市場，將與日本爾必達（Elpida）合作進行交互授權，由爾必達提供聯電SOC內嵌DRAM所需的技術，聯電則提供爾必達發展先進製程所需的低介電質銅導線（low-k/Cu）專利。聯電也將是繼力晶之後，另一個在台灣的爾必達合作夥伴。

目前標準型記憶體不需使用低介電銅導線技術，但未來在45奈米以下製程將會用到。在過去力晶與爾必達合作開發技術之後，爾必達取得聯電的授權也將使力晶受惠，此外晶圓代工廠與DRAM廠交互授權的模式也是業界一大創舉。未來力晶、爾必達透過聯電的專利授權，對於DRAM先進製程的研發將有相當大的幫助。

低介電質銅導線技術可加快電流速度，在奈米製程線寬愈來愈窄的時候，對於技術提昇有很大的幫助。目前銅製程相關技術僅台積電、聯電等晶圓代工廠擁有。

此外，台積電也積極投入嵌入式DRAM（E-DRAM）技術開發，目前已進展到65奈米製程，並採取自主開發模式。