觀察2021年主導半導體產業的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼。基本上半導體技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、電腦和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產製程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。

意法半導體總裁暨執行長JEAN-MARC CHERY

意法半導體總裁暨執行長JEAN-MARC CHERY說，我們知道目前三星、台積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發下一代3/2奈米，在那裡我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環繞閘極技術，以延續摩爾定律。若他們成功開發出新的架構，就可以預期摩爾定律會延續一定的年限。

若想明白和做好做半導體領域的業務，還需要有一些提升整合度的方法，這就是所謂的3D異構，也就是利用多個裸片堆疊方法，來得到尺寸最小的系統晶片、系統模組和系統封裝的能力。至於記憶體和非快閃記憶體或DRAM，它們在存儲容量和耗能方面也遵循類似的過程，越來越節能，性能越來越好。

在這個多元化的半導體世界，所有技術都有一個核心。多元化半導體公司包括TI、NXP、英飛淩、瑞薩和ST。首先是成熟的0.5微米到110奈米的8吋晶片製造技術，其次是成熟的19奈米到28奈米的12吋晶片製程。我們將28奈米視為電晶體閘極創新技術，用於製造成熟的12吋晶片。

當然，這個多元化產品的半導體世界，很快就會開始用16 奈米 FinFET技術，設計製造嵌入式處理解決方案和電源管理解決方案，滿足汽車和某些特定工業應用需求。

也許我們還會有另一個節點，10奈米到12奈米的FD-SOI技術。在這個多元化的世界，技術節點分佈的非常廣泛，從0.5微米到110奈米的8吋，再從19奈米到28奈米成熟的12吋，然後再到FinFET雙重圖形和三重圖形製程。這就是我所看到的現狀和趨勢。

在多元化的世界中，功率元件材料和碳化矽創新速度很快（包括封裝創新、晶圓製造創新、原料創新，升級到8吋，以及優化單個矽錠產生晶圓數量的生產率創新）。所以，我們在功率元件領域也看到了快速的創新。

光學感測解決方案的發展趨勢也是這樣，我們都想要光學感測解決方案有更高的性能、更小的面積、更低的價格，目前許多半導體大廠（例如ST）正在推動這一技術創新。MEMS與光學感測器的情況非常相似，大家都希望感測器精度更高，功耗更低。所以多元化半導體世界的解決方案也是非常相似。這是因為基於CMOS（類比、混合訊號、射頻、嵌入式快閃記憶體）的功率產品、感測器和純類比技術是相互融合的，所以，晶片不限於記憶體、電腦和通訊。這就是我所看到的現狀趨勢。同樣，在多元化半導體世界裡，我們也提供3D整合這個了不起的創新技術。