账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 陳果樺报导】   2004年09月08日 星期三

浏览人次:【1844】

国际整流器公司(IR) 推出IRAUDAMP1 Class D声频放大器参考设计,其特色为高达200V的高速闸驱动IC—IR2011S能针对功率级的每个信道,驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET,提供放大声频PWM波形。IRAUDAMP1参考设计是一项完整模拟输入的Class D声频功率放大器,在4 奥姆 (Ohm) 阻抗下能有500W + 500W峰值立体声输出。它以一个自振式PWM调节器为基础,达致最低组件数目和实现耐用设计,兼具多项保护功能和家电电源,有助简化使用。该参考设计的主要作用,是展示如何应用IR2011S实行保护电路功能和设计出一个最佳的PCB布局。

/news/2004/09/08/2107165534.JPG

参考设计中的保护电路包含过电压和过电流保护功能,兼具直流电压输出保护,能避免直流电流损坏扬声器。IR台湾分公司总经理朱文义表示:「我们的目标是为工程人员简化繁琐的电路设计,并且提高效率。IRAUDAMP1参考设计能实现完整和耐用的解决方案,让设计员能以更小的电路面积发挥Class D声频放大器的潜在效能。」

IR2011 200V等级的高、低端MOSFET驱动器IC,是专为100W至1000W的Class D声频放大器电路而设计。它采用8脚DIP或SO-8封装,最高额定环境温度为125°C,安全裕度更胜额定值仅为85°C的同类组件。

關鍵字: IR  IR  台湾分公司总经理  朱文义  电流控制器 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» 资腾科技引领先进制程革命 协助提升半导体良率
» SEMICON Taiwan开展倒数 AI与车电将助半导体产值破兆元
» 【自动化展】威腾斯坦微型Galaxie再进化 直球对决HD减速机
» SEMICON Taiwan 2024下月登场 揭??半导体技术风向球
» AI浪潮崛起!台湾半导体设备产值有??转正成长5.5%
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK89465FC5WSTACUKT
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw