英飞凌宣布推出可提供出色辐射功率和强度的新系列高速红外发射器。采用双异质芯片GaAlAs/GaAlAs 技术构建的Vishay Semiconductors新型IR发射器与上一代器件相比，其辐射强度提高了43%，从而扩展了汽车、消费类及工业环境中红外数据传输和挡光系统应用的范围与可靠性。

日前推出的这四款器件峰值波长均为870 纳米，其典型正向电压仅为.5V，因而节省了电能。对于具有高调制频率或高数据传输速率要求的自由空中数据传输系统—例如可擕式摄像机与电视机之间的红外视频数据传输，Vishay 提供了两款采用5 毫米圆形塑料T-1. 封装的新型发射器。TSFF5410 将±22°的半强度角与70mW/sr的辐射强度进行了完美结合，而TSFF5210 将±

10°的半强度角与180mW/sr 的辐射强度进行了完美结合。这两款器件均具有23MHz 的高调制带宽和15ns 的典型升降时间。

对于需要小型表面贴装器件的应用—例如高速IR 数据传输与高性能传感器，Vishay 以微型PLCC-2 SMD 封装提供了两款新器件。这两款器件均具有60° 的半强度角和10mW/sr 的典型辐射强度，TSMF4710（调制带宽为23MHz）的典型升降时间为15ns，而TSMF3710（调制带宽为12MHz）的典型升降时间为30ns。