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英飛凌新一代功率MOSFET具備低導通電阻
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2015年02月10日 星期二

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英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下 80V和100V兩款新產品。最新一代的功率MOSFET針對高切換頻率所設計,適用於電信及伺服器電源供應器等同步整流,以及其他如太陽能、低壓馬達和變壓器等工業應用。新推出的OptiMOS 5 MOSFET具備業界最低導通電阻 (RDS(on)),相較於前一代,80V 產品可降低多達45%,而100V則降低達24%。由於電阻減少,並聯零件的需求得以大幅降低,因而可省下材料成本,讓新推出的產品擁有功率高密度和高能效。

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與前一代產品相較,OptiMOS 5 80V 版本的輸出充電降低 38%,OptiMOS 5 100V 版本則降低 25%。輸出充電下降,代表在硬式切換拓樸和同步整流下的切換損耗和電壓過衝都能降低。因此可加快設計時間,同時降低開發成本。此外,80V 的版本閘極電荷降低 24%,100V 版本降低 29%,切換耗損也得以降低,尤其是在輕負載運作,以及如太陽能應用的微逆變器和功率優化器等整個負載範圍均需要高效率的應用下。

OptiMOS5 80V 和 100V 提供七種不同的封裝:SuperSO8、S308、TO 無導線、TO-220、TO-220 FullPAK、D2PAK 和 D2PAK 7Pin。目前已提供這兩種電壓等級和各種封裝的樣品,並已進入量產階段。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: MOSFET  導通電阻  太陽能  低壓馬達  變壓器  微逆變器  功率優化器  Infineon(英飛凌Infineon(英飛凌電子邏輯元件 
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