帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR為家電馬達驅動器擴充IGBT陣營
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2012年10月24日 星期三

瀏覽人次:【2301】

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF,藉以擴充絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣營。全新600V溝槽型超高速IGBT能夠為洗衣機和冰箱等家電與輕工業馬達驅動應用提升效能及效率。

推出600V 溝槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF
推出600V 溝槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF利用IR有助於大幅減低開關與導通損耗的薄晶圓場截止溝槽型技術,在更高頻率下提升功率密度與效率。全新IGBT與二極管共同採用DPAK 或D2Pak封裝,並且配備6A標稱電流及? 5μs的最低短路額定值。

全新元件亦具備能夠減低功率耗散與提升功率密度的低Vce(on),以及易於並聯的正Vce(on) 溫度係數。IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF經過優化後適用於廣闊的開關頻率範圍,最高達20kHz。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF兩款元件擴充了IR強大的IGBT陣營,並且為高效能家電與輕工業應用帶來高效可靠的解決方案。」

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF可以晶片或封裝元件形式供應,其他主要功能包括經過優化的方形反向偏置安全工作區 (RBSOA)、最高達175°C的結溫,以及能夠促進可靠性的低電磁干擾 (EMI) 。

關鍵字: IR 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» ST協助實現AIoT萬物聯網 遍布智慧化各領域應用
» 工研院攜手聯發科開創邊緣AI智慧工廠 整合平台降低功耗50%
» 製造業Q1產值4.56%終結負成長 面板及汽車零組件製造創新高
» 晶創台灣辦公室揭牌 打造台灣次世代科技國力
» 工研院突破3D先進封裝量測成果 新創公司歐美科技宣布成立
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.13.59.23.160
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw