意法半導體新推出1200V IGBT低頻電晶體

意法半導體（STMicroelectronics,ST）推出S系列 1200V IGBT絕緣閘極雙極性電晶體。當開關頻率達到8kHz時，新系列的雙極元件擁有低導通及關斷耗損，大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。

圖一 : 新系列雙極元件擁有低導通及關斷耗損，大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等設備的電源轉換效率。

新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓（VCE(sat)），可確保更低的電壓降與最小的功率耗損，從而簡化熱管理系統。此外，正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布，不僅大幅簡化了多個電晶體的平行設計，亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過衝及關機零振盪現象（zero oscillation），讓電源廠商能夠使用更簡易的外部電路及更少的外部元件。

10μs最小短路耐受時間 (達攝氏150度初始接面溫度時) ，無鎖定（latch-up free operation）效應，擁有攝氏175度高接面溫度及寬廣的安全工作範圍。多項產品優勢實現了極強、穩健的耐用性與可靠性。
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