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东芝针对汽车应用推出40V N沟道低导通电阻功率MOSFET
可以降低导通损耗和电磁干扰的新品

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2016年02月01日 星期一

浏览人次:【7291】

东芝公司(Toshiba)旗下半导体与储存产品公司针对直流-直流转换器、电动辅助转向系统(EPS)大容量马达驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40V N沟道功率MOSFET。 MOSFET产品阵容的最新产品TKR74F04PB出货即日启动。

新产品的低导通电阻和低开关杂讯级有助于在汽车应用中降低导通损耗和电磁干扰。 (Source:BUSINESS WIRE)
新产品的低导通电阻和低开关杂讯级有助于在汽车应用中降低导通损耗和电磁干扰。 (Source:BUSINESS WIRE)

该新产品对利用东芝先进的第9代MOS U-MOS IX Series沟道制程制造的晶片进行低阻抗TO-220SM(W)封装,实现了低导通电阻。新产品的低导通电阻和低开关杂讯级有助于在汽车应用中降低导通损耗和电磁干扰。

關鍵字: MOSFET  40V  N沟道  低导通电阻功率  汽車應用  馬達驅動器  东芝  东芝 
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