英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25%。此外，英特爾晶圓代工使用先進封裝的異質整合解決方案，首次讓吞吐量提高了100倍，實現超快速晶片對晶片組裝。為了進一步推動環繞式閘極（GAA）微縮，英特爾晶圓代工也展示了矽RibbonFET CMOS和用於微縮2D FET的閘極氧化物模組的工作成果，可提高元件效能。

英特爾晶圓代工公佈新突破

減材釕這一新型材料，用於提升晶片內互連效能。這項技術通過減少光刻過程中的氣隙排除區，使得線間電容可降低高達25%。這一創新有望在未來節點中替代傳統的銅電晶體，並有效改善晶片的互連效能，從而應對微縮過程中日益增加的互連密度挑戰。

為應對AI應用對吞吐量的需求，英特爾展示了選擇性層遷移（Selective Layer Transfer, SLT）技術，這項異質整合解決方案能將吞吐量提升100倍。SLT技術使得晶片對晶片組裝更加高效，並支持更小的晶粒尺寸和更高的功能密度，進一步提升了AI架構的效能和靈活性。

為了推動環繞式閘極（GAA）技術的微縮，英特爾展示了6奈米閘極長度的矽RibbonFET CMOS電晶體。這項技術突破了短通道效應，為閘極長度微縮提供了新的發展方向，支持未來半導體的進一步微縮。

同時，英特爾也展示了針對GAA 2D FET的閘極氧化物模組，這些成果將可能取代矽材料，並進一步提高二維半導體技術的效能，為未來的先進電晶體製程鋪設基礎。

英特爾進一步推進了氮化鎵（GaN）技術的研究，這項技術在功率電子和射頻應用中具有顯著優勢。英特爾展示了業界首個300毫米氮化鎵技術，通過GaN-on-TRSOI基板設計，有效減少信號損耗，並提供更高的效能和更好的線性度，進一步擴展了氮化鎵在高效能電子產品中的應用潛力。

英特爾還提出了對未來半導體技術的願景，強調先進封裝技術、記憶體整合、以及混合鍵合技術在推動AI應用中的重要性。特別是在滿足AI需求的背景下，記憶體整合將有助於解決容量、頻寬和延遲瓶頸，而混合鍵合技術則優化了互連頻寬。