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聯電領先全球推出0.13微米銅製程技術
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2000年11月29日 星期三

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今年一月份甫與IBM及Infineon簽約合作發展○.一三微米銅製程技術的聯電,昨日展現初步成果,已開始與五家客戶進行八層銅、一層多晶矽的製程技術驗證,同時搭配了低介電係數材料SiLK。目前三家公司同時開始採用此項○.一三微米銅製程技術,也是世界各半導體的銅製程競賽中,推出的最先進技術。

聯電目前在驗證中的○.一三微米銅製程產品種類相當多樣化,包括邏輯產品、混合式訊號處理、MPU等。聯電第用於 ○.一三微米銅製程研發線的晶圓廠為八廠,而未來用於量產○.一三銅製程的晶圓廠第一期將為八D廠,待第二期時八F及十二A廠都會設置銅製程生產線。

關鍵字: IBM  Infineon(英飛凌聯電 
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