帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2023年12月12日 星期二

瀏覽人次:【1048】

英特爾公開多項技術突破,為公司未來的製程藍圖保留了創新發展,凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上,英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)電晶體的最新進展,同時分享了最新晶片背部供電(例如背部接觸)的研發突破,並在同一片300mm(12吋)晶圓、而非在封裝上成功展示整合矽電晶體與氮化鎵(GaN)電晶體的大規模3D單晶。

英特爾展示下世代電晶體微縮技術突破,將應用於未來製程節點
英特爾展示下世代電晶體微縮技術突破,將應用於未來製程節點

全球對於運算的需求呈現指數型增長,電晶體微縮和晶片背部供電是有助於滿足此運算需求的兩大關鍵。英特爾滿足了這樣的運算需求,其創新將繼續推動半導體產業的發展,亦是摩爾定律的基石。英特爾的元件研究團隊不斷突破工程限制,透過堆疊電晶體,將晶片背部供電推升到新境界,以實現更多的電晶體微縮和性能改善,同時也證明由不同材料製成的電晶體可以整合在同一晶圓上。

最近發布的製程技術藍圖,強調了英特爾在持續微縮方面的創新,包括PowerVia晶片背部供電技術、用於先進封裝的玻璃基板和Foveros Direct封裝技術,這些技術皆源於英特爾元件研究團隊,預計將在2030年前投入生產。

在 IEDM 2023大會上,英特爾的元件研究團隊展現對創新的堅持,開拓全新方式,在矽晶片上置入更多電晶體,實現更高性能。研究人員已確立如何透過有效堆疊電晶體、持續達成微縮的關鍵研發領域,再結合晶片背部供電和背部接觸技術,推動電晶體架構技術發展。除了改善晶片背部供電和採用新型二維電子通道材料(2D channel materials),英特爾也將致力延續摩爾定律,在2030年達成單一封裝內含1兆個電晶體。

關鍵字: 晶圓製造  先進製程  Intel(英代爾, 英特爾
相關新聞
英特爾AI加速器為企業生成式AI市場提供新選擇
英特爾攜手合作夥伴 助力AI PC創作新世代
Intel成立獨立FPGA公司Altera
Intel Core Ultra透過新vPro平台將AI PC延伸至企業應用
ADI擴大與TSMC合作以提高供應鏈產能及韌性
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流
» ST以MCU創新應用潮流 打造多元解決方案
» ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰
» ST引領智慧出行革命 技術創新開啟汽車新紀元
» ST:精準度只是標配 感測器需執行簡單運算的智慧功能


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.239.91.5
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw